Транзистор КТ827 — DataSheet
Цоколевка транзисторов КТ827, КТ828
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ827А | BDX63A, MJ3521, SK9440, SK3858, 2N6284, PMD1603K *2, MJ3521 *2 | |||
| КТ827Б | BDX65, PMD1602K, SK9438 *2, SMD4006 *2, 2N6357 *2 | ||||
| КТ827В | BDX85, MJ3520, PMD1601К, 2N6282, SDM4005 *2, 2N6057 *2 | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ827А | — | 125* | Вт |
| КТ827Б | — | 125* | |||
| КТ827В | — | 125* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ827А | — | ≥4 | МГц |
| КТ827Б | — | ≥4 | |||
| КТ827В | — | ≥4 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ827А | 1к | 100* | В |
| КТ827Б | 1к | 80* | |||
| КТ827В | 1к | 60* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ827А | — | 5 | В |
| КТ827Б | — | ||||
| КТ827В | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ827А | — | 20(40*) | А |
| КТ827Б | — | 20(40*) | |||
| КТ827В | — | 20(40*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ827А | 100 В | ≤3 | мА |
| КТ827Б | 80 В | ≤3 | |||
| КТ827В | 60 В | ≤3 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ827А | 3 В; 10 А | 750..18000* | |
| КТ827Б | 3 В; 10 А | 750..18000* | |||
| КТ827В | 3 В; 10 А | 750..18000* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ827А | 10 В | ≤400 | пФ |
| КТ827Б | 10 В | ≤400 | |||
| КТ827В | 10 В | ≤400 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ827А | — | ≤0.2 | Ом, дБ |
| КТ827Б | — | ≤0.2 | |||
| КТ827В | — | ≤0.2 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ827А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ827Б | — | — | |||
| КТ827В | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ827А | — | ≤4.5* мкс | пс |
| КТ827Б | — | ≤4.5* мкс | |||
| КТ827В | — | ≤4.5* мкс |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Транзисторы КТ827 и КТ973 — маркировка, цоколевка, основные параметры.
Транзисторы КТ973
Транзисторы КТ973 — мощные, высокочастотные, кремниевые, составные, структура — p-n-p.
Корпус пластиковый TO-126.
Маркировка либо буквенно — цифровая, либо — кодированная, на лицевой части корпуса.
На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ973.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока — свыше 750.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ973А —
— 60в.
У транзисторов КТ973Б —
— 45в.
Коэффициент передачи тока — от 750.
Максимальный постоянный ток коллектора — 4 А.
Обратный ток колектора при напряжении коллектор-эмиттер 60 в:
У транзисторов КТ973А, КТ973В — 1 мА, при температуре окружающей среды
+ 25 по Цельсию.
У транзисторов КТ973Б при напряжении коллектор-эмиттер 45в — 1 мА, при температуре окружающей среды
+ 25 по Цельсию.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА
— не более 1,5в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА
— не более 2,5в.
Рассеиваемая мощность коллектора — 8 Вт(на радиаторе).
Граничная частота передачи тока —
— 200 МГц.
Транзистор комплементарный КТ973 — КТ972.
Зарубежный аналог КТ973 — BD876.
На главную страницу
В начало
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
Схема транзистора КТ827 | Все своими руками
Опубликовал admin | Дата 16 марта, 2013Аналог КТ827А
Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP142. Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у 827 он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны 125Вт. У 827 максимальное напряжение насыщения коллектор – эмиттер равно два вольта, у TIP142 – 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском – 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.
Хорошей заменой может быть транзистор КТ8105А, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо.
При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1.
Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.
В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На схеме указаны диоды Д223А, я обычно применяю КД521 или КД522.
На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт. Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув.
Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами.
Параметры самодельного составного транзистора (Рвых, Iк макс.)будут конечно соответствовать параметрам примененного выходного транзистора. Вот вроде и все. До свидания. К.В.Ю.
Обсудить эту статью на — форуме «Радиоэлектроника, вопросы и ответы».
Просмотров:82 308
КТ827, 2Т827 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом
КТ827, 2Т827 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка.
Основные технические параметры транзистора КТ827, 2Т827.
Обозначение на схеме и реальные размеры транзистора КТ827, 2Т827Внешний вид транзистора на примере КТ827Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КТ827 характеристики (datasheet) | Техника и Программы
September 18, 2012 by admin Комментировать »Кремниевый составной транзистор КТ827 (n-p-n)
Составной транзистор КТ827 аналог, графики входных и выходных характеристик. Подробные параметры, размеры и цоколевка транзисторов КТ827А, КТ827Б, КТ827В.
Основные технические характеристики тарнзисторов КТ827:
| Прибор | Предельные параметры | Параметры при T = 25°C | RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||||
| при T = 25°C | |||||||||||||||||||||
| IК, max, А | IК и, max, А | UКЭ0 гр, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | TК, °C | Tп max, °C | TК max, °C | h21Э | UКЭ, В | IК, А | UКЭ нас, В | IКЭR, мА | fгр, МГц | Кш, дБ | CК, пФ | CЭ, пФ | tвкл, мкс | tвыкл, мкс | ||
| КТ827А | 20 | 40 | 100 | 100 | 5 | 125 | 25 | 200 | 100 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| КТ827Б | 20 | 40 | 80 | 80 | 5 | 125 | 25 | 200 | 100 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| КТ827В | 20 | 40 | 60 | 60 | 5 | 125 | 25 | 200 | 100 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| 2Т827А | 20 | 40 | 100 | 100 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| 2Т827А2 | 20 | 40 | 100 | 100 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…19,4 | |
| 2Т827А5 | 20 | 40 | 100 | 100 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…19,4 | |
| 2Т827Б | 20 | 40 | 80 | 80 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| 2Т827Б2 | 20 | 40 | 80 | 80 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…19,4 | |
| 2Т872В | 20 | 40 | 60 | 60 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| 2Т872В2 | 20 | 40 | 60 | 60 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…19,4 | |
Зарубежные аналоги транзистора КТ827: 2N6057, BDX87
| КТ8270А | MJE13001 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8270А | КТ538А | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271А | BD136 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271А | КТ6109А | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271А | КТ626А | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271А | КТ626Е | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271А | КТ814Б | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271Б | BD138 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271Б | КТ6104А | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271Б | КТ814В | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271В | BD140 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271В | КТ6109А | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271В | КТ626Ж | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271В | КТ814Г | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272А | BD135 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272А | КТ815Б | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272А | КТ961В | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272Б | BD137 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272Б | КТ815В | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272Б | КТ961Б | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272В | BD139 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272В | КТ815Г | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272В | КТ961А | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827А | 2N6059 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827А | 2N6284 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827А | BDX63 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827А | BDX65A | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827А | BDX67 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827А | BDX87C | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827А | MJ3521 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827А | MJ4035 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | 2N6058 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | 2N6283 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | BDX63 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | BDX65 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | BDX67 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | BDX85B | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | BDX87B | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | MJ3001 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | MJ4034 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | 2N6057 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | 2N6282 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | BDX85 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | BDX85A | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | BDX87 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | BDX87A | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | MJ3000 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | MJ3520 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | MJ4033 | Отечественный и зарубежный аналоги |
