Irfz44N схема включения: Транзистор IRFZ44N: параметры, цоколевка, аналог, datasheet – IRFZ44N — Мощный MOSFET транзистор — DataSheet

IRFZ44N — Мощный MOSFET транзистор — DataSheet

Параметр Мин.Тип.Макс.Ед. изм.Условия
 V(BR)DSS Напряжение пробоя сток-исток 55 — ВVGS = 0 В, ID = 250 мкA
 ∆V(BR)DSS/∆TJТемпературный коэффициент напряжения пробоя —0.058В/°CДо 25°C, ID = 1 мA
RDS(on)Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии —17.5мОмVGS = 10 В, ID = 25 A (4)
 VGS(th)Пороговое напряжение на  затворе 2.0 —4.0ВVDS = VGS, ID = 250 мкA
 gfsКрутизна характеристики19 — —SVDS = 25 В, ID = 25 A (4)
 IDSSТок утечки сток-исток — — 25мкАVDS = 55 В, VGS = 0 В
 —250VDS = 44 В, VGS = 0 В, TJ = 150°C
  IGSSТок утечки в прямом направлении — 100нАVGS = 20 В
 Ток утечки в обратном направлении —-100VGS = -20 В
QgСуммарный заряд затвора63нКлID = 25 A, VDS = 44 В, VGS = 10 В
QgsЗаряд между затвором и истоком
14
QgdЗаряд между затвором и стоком23
 td(on)Время задержки включения —12нсVDD = 28 В,  ID = 25, ARG = 12 Ом,  VGS = 10 В (4)
trВремя нарастания60 —
 td(off)Время задержки выключения —44 —
 tf Время спада45
LDВнутренняя индуктивность стока4.5нГнВнутренняя индуктивность
LSВнутренняя индуктивность истока7.5
CissВходная емкость1470пФVGS = 0 В, VDS = 25 В, ƒ = 1.0 MГц
CossВыходная емкость360
CrssОбратная переходная емкость88
EASЭнергия единичного лавинного импульса (2)530 (5)150 (6)мДжIAS = 25 A, L = 0.47 мГн

характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог

Аналоги транзистора IRFZ44N

МаркировкаPolStructPdUdsUgsUgs(th)IdTj
QgTrCdRdsCaps
2SK1542NMOSFET1256020451502015000.02TO220AB
2SK3270-01NMOSFET1356030801500.0065TO220AB
2SK3435NMOSFET846020801506012005200.014TO220AB
AM90N06-15PNMOSFET300602019017549102900.0105TO220AB
AM90N06-16PNMOSFET300602019017521171840.0165TO220AB
AM90N08-08PNMOSFET300802019017558454490.011TO220AB
AM90N10-14PNMOSFET3001002019017560493920.016TO220AB
AM90N10-23PNMOSFET3001002011101753090.023TO220AB
AUIRF1010EZNMOSFET140602084580.0085TO220AB
AUIRF1018ENMOSFET1106020479175 460.0084TO220AB
AUIRFB3607NMOSFET1407580560.009TO220AB
AUIRFZ48NNMOSFET945520464175420.014TO220AB
AUIRFZ48ZNMOSFET915520461175430.011TO220AB
AUIRL3705ZNMOSFET1305516386175400.008TO220AB
BUK7506-55ANMOSFET30055204751750.0063TO220AB
BUK7507-55BNMOSFET2035520475175530.0071TO220AB
BUK7509-55ANMOSFET2115520475175620.009TO220AB
BUK7509-75ANMOSFET23075204751750.009TO220AB
BUK7511-55ANMOSFET16655204751750.011TO220AB
BUK7511-55BNMOSFET1575520475175370.011TO220AB
BUK7513-75BNMOSFET157757540 0.013TO220AB
BUK7514-55ANMOSFET16655204731750.014TO220AB
BUK7515-100ANMOSFET300100204751750.015TO220AB
BUK7516-55ANMOSFET1385520465.71750.016TO220AB
BUK7520-100ANMOSFET200100204631750.02TO220AB
BUK7520-55ANMOSFET11855204541750.02TO220AB
BUK7523-75ANMOSFET13875204531750.023TO220AB
BUK9506-55BNMOSFET2585515275175600.0054TO220AB
BUK9508-55BNMOSFET2035515275175450.007TO220AB
BUK9509-75ANMOSFET23075102751750.0085TO220AB
BUK9511-55ANMOSFET16655102751750.01TO220AB
BUK9512-55BNMOSFET1575515275175
31
0.01TO220AB
BUK9514-55ANMOSFET14955102731750.013TO220AB
BUK9515-100ANMOSFET230100102751750.0144TO220AB
BUK9516-55ANMOSFET13855102661750.015TO220AB
BUK9516-75BNMOSFET1577515267175350.014TO220AB
BUK9518-55ANMOSFET13655152611750.016TO220AB
BUK9520-100ANMOSFET200100102631750.019TO220AB
BUK9520-100BNMOSFET2031001526317553.40.0185TO220AB
BUK9520-55ANMOSFET11855102541750.018TO220AB
BUK9523-75ANMOSFET13875102531750.022TO220AB
BUK9524-55ANMOSFET10555102461750.0217TO220AB
CS3205_A8NMOSFET2306020120175827500.008TO220AB
CS3205_B8NMOSFET2305520110175519030.0085TO220AB
CS3710_B8NMOSFET2001002057175306200.023TO220AB
CS4145NMOSFET200602084175753750.01TO220AB
CS75N75_B8HNMOSFET2307520100175577200.0115TO220AB
CSZ44V-1NMOSFET150602055175272800.01TO220AB
FDP10AN06A0NMOSFET13560204751751283400.0105TO220AB
FDP13AN06A0NMOSFET1156020462175962600.0135TO220AB
FDP14AN06LA0NMOSFET12560203671751692700.0116TO220AB
FDP20AN06A0NMOSFET906020445175981850.02TO220AB
FDP5500NMOSFET37555204801753413100.007TO220AB
HUF76432P3NMOSFET1306016356175530.021TO220AB
HUF76437P3NMOSFET1556016641750.017TO220AB
HY110N06TNMOSFET1255520311017512.июн3850.0055TO220AB
HY75N075TNMOSFET83.3752047517519.фев6500.009TO220AB
HY80N075TNMOSFET125752048017518.фев4200.008TO220AB
HY80N07TNMOSFET96.7652048017522.июн6600.0072TO220AB
IRF1010EZNMOSFET1406020484175580.0085TO220AB
IRF1018ENMOSFET110602079460.0084TO220AB
IRF4410ANMOSFET23010020497175524300.009TO220AB
IRFB3607NMOSFET140752080560.009TO220AB
IRFB3607GNMOSFET140752080560.009TO220AB
IRFB3607GPBFNMOSFET1407520480175561102800.009TO220AB
IRFB3607PBFNMOSFET1407520480175561102800.009TO220AB
IRFB4510PBFNMOSFET1401002046217558322200.0135TO220AB
IRFB7545NMOSFET125602003.июл95175723700.0059TO220AB
IRFB7546NMOSFET99602003.июл75175512800.0073TO220AB
IRFB7740NMOSFET143752003.июл87175603700.0073TO220AB
IRFB7746NMOSFET99752003.июл59175362550.0106TO220AB
IRFB7787NMOSFET125752003.июл76175483300.0084TO220AB
IRFZ44ENMOSFET1106010448150400.023TO220AB
IRFZ44NNMOSFET835510441150620.024TO220AB
IRFZ44VNMOSFET11560205544.70.0165TO220AB
IRFZ44VZNMOSFET926020457175430.012TO220AB
IRFZ46NNMOSFET88551046150480.02TO220AB
IRFZ48NNMOSFET94551053150540.016TO220AB
IRFZ48ZNMOSFET915520461175430.011TO220AB
IRL3705ZNMOSFET1305516386175400.008TO220AB
IRL3705ZPBFNMOSFET13055163751752404200.008TO220AB
IRLZ44NNMOSFET835541150320.022TO220AB
IRLZ44NPBFNMOSFET1105516247175844000.022TO220AB
KF50N06PNMOSFET966020501501004050.0142TO220AB
KF60N06PNMOSFET113602060150754900.0115TO220AB
KF70N06PNMOSFET1256020701501105430.01TO220AB
KF80N08PNMOSFET2307520801752288400.0085TO220AB
KMB050N60PNMOSFET1206020501751004600.018TO220AB
KMB050N60PANMOSFET120602550175100700.016TO220AB
KMB060N60PANMOSFET1506025601752203600.0115TO220AB
KMB080N75PANMOSFET300752580175257300.01TO220AB
KU034N08PNMOSFET192752017015025011500.003TO220AB
KU045N10PNMOSFET1921002015015024010000.0039TO220AB
MTE010N10E3NMOSFET150100207017548122500.0096TO220AB
MTN1308E3NMOSFET230753080175422003400.0105TO220AB
MTN2510E3NMOSFET1551003050175672360.017TO220AB
MTN2510LE3NMOSFET1551002050175452002240.022TO220AB
MTN3205E3NMOSFET20055201281751165800.0039TO220AB
MTN50N06E3NMOSFET120602050175583640.019TO220AB
PHP110NQ06LTNMOSFET20055152751751235200.007TO220AB
PHP110NQ08LTNMOSFET23075202751751859050.0085TO220AB
PHP110NQ08TNMOSFET23075204751751078400.009TO220AB
PHP112N06TNMOSFET2005520475175947200.008TO220AB
PHP119NQ06TNMOSFET2005520475175525540.0071TO220AB
PHP160NQ08TNMOSFET3007520475175568450.0056TO220AB
PHP52N06TNMOSFET1206020452175742900.022TO220AB
PHP54N06TNMOSFET1185520454175742900.02TO220AB
PHP73N06TNMOSFET1666020473175794210.014TO220AB
PHP75NQ08TNMOSFET1577520475175363200.013TO220AB
PHP79NQ08LTNMOSFET1577515273175300.016TO220AB
PSMN012-80PSNMOSFET1488020474175430.011TO220AB
PSMN013-100PSNMOSFET17010020468175590.0139TO220AB
PSMN015-60PSNMOSFET86602045017520.сен0.0148TO220AB
PSMN016-100PSNMOSFET14810020496175490.016TO220AB
PSMN017-80PSNMOSFET1038020450175260.017TO220AB
PSMN7R6-60PSNMOSFET149602049217538.70.0078TO220AB
PSMN8R7-80PSNMOSFET1708020490175520.0087TO220AB
RFP50N06LENMOSFET14260501500.022TO220AB
RJK1008DPNNMOSFET125100800.0085TO220AB
RJK1021DPNNMOSFET100100700.016TO220AB
RJK1536DPNNMOSFET125150500.024TO220AB
SQP120N06-06NMOSFET175602003.май119175147080.006TO220AB
SQP120N10-09NMOSFET3751002003.май120175246350.0095TO220AB
SQP60N06-15NMOSFET107602003.май56175123140.015TO220AB
STK5006PNMOSFET1206020501501054450.022TO220AB
STK7006PNMOSFET147602070175432007220.016TO220AB

IRFZ44N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики

Наименование прибора: IRFZ44N

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
  • Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 41 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
  • Тип корпуса: TO220AB

Автор: Редакция сайта

Маломощный лабораторный блок питания с функцией зарядного устройства — Меандр — занимательная электроника

В радиолюбительской практике, несомненно, будет востребован маломощный лабораторный блок питания с регулируемым выходным напряжением и ограничением выходного тока в интервале от нескольких до нескольких сотен миллиампер. Его можно применить для питания налаживаемой аппаратуры, собранной на чувствительных к перегрузке по току элементах, а также для зарядки отдельных аккумуляторов или аккумуляторных батарей.

Схема такого устройства показана на рис. 1. На микросхеме DA2 собран регулируемый стабилизатор с выходным напряжением 1,25…14 В. Устанавливают выходное напряжение переменным резистором R7. На микросхеме DA1 — параллельном стабилизаторе напряжения, транзисторе VT1 и датчике тока — резисторах R5, R6 — собран ограничитель-стабилизатор тока. Его значение в интервале 6…190 мА устанавливают переменным резистором R5.

Рис. 1. Схема устройства

Напряжение сети поступает на первичную обмотку трансформатора через кнопочный выключатель SB1 и плавкую вставку FU1. Напряжение вторичной обмотки трансформатора выпрямляет мостовой выпрямитель на диодах Шотки VD1-VD4. Конденсатор С3 — сглаживающий, светодиод HL1 сигнализирует о наличии выпрямленного напряжения.

При отключённой защите по току подвижный контакт кнопочного переключателя SB2 находится в нижнем по схеме положении, датчиктоказамкнут и через микросхему DA1 протекает небольшой ток (не более 0,3 мА). На выводе 3 этой микросхемы напряжение близко к выпрямленному (около 17 В). Это напряжение поступает на затвор транзистора VT1, поэтому он открыт, сопротивление его канала не превышает сотых долей ома, и всё стабилизируемое микросхемой DA2 напряжение поступает на выходные гнёзда XS1, XS2. В этом режиме с трансформатором ТП-112-3 выходной ток при напряжении до 5 В не должен превышать 600 мА, до 10 В — 400 мА, до 14 В — 150 мА.

В режиме «Защита» подвижный контакт переключателя SB2 находится в верхнем по схеме положении и светодиод HL3 сигнализирует о включении этого режима. В этом случае на управляющий вход (вывод 1) микросхемы DA1 поступает напряжение с датчика тока. Когда это напряжение превысит 2,5 В, на выводе 3 этой микросхемы и затворе транзистора VT1 напряжение уменьшится и транзистор закроется. В результате устройство переходит в режим ограничения (стабилизации) тока, значение которого зависит от сопротивления резистора R6 и введённой части резистора R5: Iогр. мин = 2,5/(R5 + R6), Iогр. макс = 2,5/R6. При этом включается светодиод HL2, сигнализируя о том, что устройство работает в режиме стабилизации тока.

Для устройства использован корпус от часов «Электроника 12-41А» (рис. 2), поэтому для него и разработана односторонняя печатная плата, чертёж которой показан на рис. 3. В этом корпусе уже имеется держатель плавкой вставки. В устройстве применены постоянные резисторы С2-33, Р1-4, переменные — СП3-4аМ, полярные конденсаторы — импортные, остальные — К10-17, К73, светодиоды могут быть любые с диаметром корпуса 3 мм, желательно разных цветов свечения: HL1 — зелёного, HL2 — красного, HL3 — жёлтого, переключатели — П2К. Полевой транзистор IRFZ44N можно заменить транзистором IRFZ34N или аналогичным. Конденсатор С8 установлен на выводах гнёзд XS1 и XS2. Полевой транзистор и микросхема КР142ЕН12 закреплены на ребристых теплоотводах размерами 25x16x8 мм. Переменные резисторы приклеены к плате эпоксидным клеем со стороны печатных проводников, с этой же стороны припаяны светодиоды.

Рис. 2. Корпус от часов «Электроника 12-41А»

Оси переменных резисторов выступают из отверстий в передней панели. На оси надеты ручки с рисками, а на фальшпанели сделаны две шкалы, проградуированные в миллиамперах и вольтах. Градуировку шкалы регулятора выходного напряжения проводят с помощью вольтметра, подключённого к выходу устройства, а регулятора тока ограничения, — подключив к выходу регулируемую нагрузку и миллиамперметр.

Для зарядки аккумулятора (аккумуляторной батареи) устройство переводят в режим «Защита», устанавливают требуемое напряжение, до которого его необходимо зарядить, затем устанавливают ток зарядки и подключают аккумулятор. При этом должен загореться светодиод HL2 «Ток». По мере зарядки яркость свечения этого светодиода станет уменьшаться, пока он совсем не погаснет. Выходное напряжение устанавливают исходя из расчёта 1,4…1,45 В на один Ni-Cd или Ni-MH аккумулятор, а ток зарядки (в миллиамперах) — Iзар = 0,1·Са, где Са — ёмкость аккумулятора в мА·ч. Для удобства измерения выходного напряжения на задней или одной из боковых стенок устройства можно установить дополнительные гнёзда XS3 и XS4 «Контроль», к которым подключают мультиметр. Если планируется эксплуатация устройства на максимальном токе и продолжительное время, на боковых и задней стенках корпуса желательно сделать несколько десятков вентиляционных отверстий.

Рис. 3. Чертёж односторонней печатной платы и расположение элементов на ней

Если применить другой корпус, элементы можно установить на плате, чертёж которой показан на рис. 4. В этом случае светодиоды, переменные резисторы, гнёзда, переключатель и выключатель могут быть других типов, их устанавливают непосредственно на корпусе. Кроме того, размеры теплоотводов лучше увеличить.

Рис. 4. Чертёж печатной платы и расположение элементов на ней

Микросхему TL431CLP можно заменить транзистором серии КТ817 (у него максимальный ток базы — 1 А): вывод 1 — база, вывод 2 — эмиттер, вывод 3 — коллектор. В этом случае интервал тока ограничения изменится (Iогр. мин = 0,7/(R5 + R6), Iогр.макс = 0,7/R6) и придётся подобрать резисторы R5 и R6 для получения требуемых переделов. Положительная сторона такой замены — уменьшение падения напряжения на датчике тока, отрицательная — ухудшение стабильности тока ограничения.

Автор: И. Нечаев, г. Москва


Силовой ключ (5 А; 24 В) на полевом транзисторе (IRF520 MOSFET) для Arduino —

Силовой ключ выполнен на полевом транзисторе IRF520 и предназначен для включения/выключения мощной нагрузки, которая питается напряжением постоянного тока.

Силовой ключ (5 А; 24 В) на полевом транзисторе (IRF520 MOSFET) для Arduino.Вид спереди
Силовой ключ (5 А; 24 В) на полевом транзисторе (IRF520 MOSFET) для Arduino. Вид сверху

Управлять силовым ключем можно с помощью Arduino или другого микроконтроллера, при подаче на вход ключа высокого уровня от 5 В, он откроется и включит нагрузку. При токе нагрузки более 1 ампера нужен радиатор для транзистора. Практическое измерение нескольких экземпляров этого MOSFET модуля показало, что ключ открывается при подаче сигнала управления на затвор от 3,4 Вольт.
Полевой транзистор позволяет использовать ШИМ (широтно-импульсную модуляцию), т.е можно менять скорость работы электродвигателя или яркость светодиодной ленты, лампы (светодиода) и т.д.

Если управляющий сигнал ниже 5 Вольт, то нужно использовать другой ключ, работающий от низкого постоянного напряжения (от 3 Вольт).

Для управления мощной нагрузкой переменного тока можно использовать твердотельное реле. А для коммутации маломощной нагрузки постоянного и переменного тока можно применить обычное реле.

Технические характеристики силового ключа на MOSFET транзисторе “IRF520”:

  • управление нагрузкой с напряжением питания постоянного тока, В: 0-24
  • рабочий ток нагрузки, А: 0-5
  • уровень управляющего сигнала, В: 5-20
  • размеры платы, мм: 33.4*25.6

Подключение:

  • “V+” — плюсовой контакт подключения нагрузки пост. тока
  • “V-” — минусовой контакт подключения нагрузки пост. тока
  • “Vin” — “+” контакт, сюда подключить питание для нагрузки (от 0 до 24 В)
  • “GND” — “-” контакт питания для нагрузки
  • “SIG – “плюсовой контакт для подключения управ. сигнала (например с ARDUINO)
  • “Vcc” – не используется
  • “GND – “минусовой контакт для подключения управ. сигнала

Принципиальная схема силового ключа на IRF520:

Принципиальная схема силового ключа (5 А; 24 В) на полевом транзисторе (IRF520 MOSFET) для Arduino

Варианты использования:

управление силовым ключом с помощью сенсорной кнопки “TTP223”

Преимущества:

  • бесшумная работа
  • нет механических частей

Описание на “IRF520” (datasheet)

062-Как подключить к микроконтроллеру нагрузку? — GetChip.net

В следующих статьях будут устройства, которые должны управлять внешней нагрузкой. Под внешней нагрузкой я понимаю все, что прицеплено к ножкам микроконтроллера – светодиоды, лампочки, реле, двигатели, исполнительные устройства … ну Вы поняли. И как бы не была заезжена данная тема, но, чтобы избежать повторений в следующих статьях, я все-же рискну быть не оригинальным — Вы уж меня простите :). Я кратенько, в рекомендательной форме, покажу наиболее распространенные способы подключения нагрузки (если Вы  что-то захотите добавить – буду только рад).
Сразу договоримся, что речь идет о цифровом сигнале (микроконтроллер все-таки цифровое устройство) и не будем отходить от общей логики: 1-включено, 0-выключено. Начнем.

 

1 НАГРУЗКА ПОСТОЯННОГО ТОКА.
Нагрузкой постоянного тока являются: светодиоды, лампы, реле, двигатели постоянного тока, сервоприводы, различные исполнительные устройства и т.д. Такая нагрузка наиболее просто (и наиболее часто) подключается к микроконтроллеру.

1.1 Подключение нагрузки через резистор.
Самый простой и, наверно, чаще всего используемый способ, если речь идет о светодиодах.

Резистор нужен для того, чтобы ограничить ток протекающий, через ножку микроконтроллера до допустимых 20мА. Его называют балластным или гасящим. Примерно рассчитать величину резистора можно зная сопротивление нагрузки Rн.

Rгасящий = (5v / 0.02A) – Rн = 250 – Rн [Om]

Как видно, даже в самом худшем случае, когда сопротивление нагрузки равно нулю достаточно 250 Ом для того, что бы ток не превысил 20мА. А значит, если неохота чего-то там считать — ставьте 300 Ом и Вы защитите порт от перегрузки. Достоинство способа очевидно – простота.

1.2 Подключение нагрузки при помощи биполярного транзистора.
Если так случилась, что Ваша нагрузка потребляет более 20мА, то, ясное дело, резистор тут не поможет. Нужно как-то увеличить (читай усилить) ток. Что применяют для усиления сигнала? Правильно. Транзистор!

Для усиления удобней применять n-p-n транзистор, включенный по схеме ОЭ. При таком способе можно подключать нагрузку с большим напряжением питания, чем питание микроконтроллера. Резистор на базе – ограничительный. Может варьироваться в широких пределах (1-10 кОм), в любом случае транзистор будет работать в режиме насыщения. Транзистор может быть любой n-p-n транзистор. Коэффициент усиления, практически не имеет значения. Выбирается транзистор по току коллектора (нужный нам ток) и напряжению коллектор-эмиттер (напряжение которым запитывается нагрузка). Еще имеет значение рассеиваемая мощность — чтоб не перегрелся.

Из распространенных и легко доступных можно заюзать BC546, BC547, BC548, BC549 с любыми буквами (100мА), да и тот-же КТ315 сойдет (это у кого со старых запасов остались).
BC547.pdf (10238 Загрузок)

1.3 Подключение нагрузки при помощи полевого транзистора.
Ну а если ток нашей нагрузки лежит в пределах десятка ампер? Биполярный транзистор применить не получиться, так как токи управления таким транзистором велики и скорей всего превысят 20мА. Выходом может служить или составной транзистор (читать ниже) или полевой транзистор (он же МОП, он же MOSFET). Полевой транзистор просто замечательная штука, так как он управляется не током, а потенциалом на затворе. Это делает возможным микроскопическим током на затворе управлять большими токами нагрузки.

Для нас подойдет любой n-канальный полевой транзистор. Выбираем, как и биполярный, по току, напряжению и рассеиваемой мощности.

При включении полевого транзистора нужно учесть ряд моментов:
— так как затвор, фактически, является конденсатором, то в моменты переключения транзистора через него текут большие токи (кратковременно). Для того чтобы ограничить эти токи в затвор ставиться ограничивающий резистор.
— транзистор управляется малыми токами и если выход микроконтроллера, к которому подключен затвор, окажется в высокоимпедансном Z-состоянии полевик начнет открываться-закрываться непредсказуемо, вылавливая помехи. Для устранения такого поведения ножку микроконтроллера нужно «прижать» к земле резистором порядка 10кОм.
У полевого транзистора на фоне всех его положительных качеств есть недостаток. Платой за управление малым током является медлительность транзистора. ШИМ, конечно, он потянет, но на превышение допустимой частоты он Вам ответит перегревом.

Для применения можно порекомендовать мощные транзисторы IRF630, IRF640. Их часто используют и поэтому их легко достать.
IRF640.pdf (17238 Загрузок)

1.4 Подключение нагрузки при помощи составного транзистора Дарлингтона.
Альтернативой применения полевого транзистора при сильноточной нагрузке является применение составного транзистора Дарлингтона. Внешне это такой-же транзистор, как скажем, биполярный, но внутри для управления мощным выходным транзистором используется предварительная усилительная схема. Это позволяет малыми токами управлять мощной нагрузкой. Применение транзистора Дарлингтона не так интересно, как применение сборки таких транзисторов. Есть такая замечательная микросхема как ULN2003. В ее составе аж 7 транзисторов Дарлингтона, причем каждый можно нагрузить током до 500мА, причем их можно включать параллельно для увеличения тока.

Микросхема очень легко подключается к микроконтроллеру (просто ножка к ножке) имеет удобную разводку (вход напротив выхода) и не требует дополнительной обвязки. В результате такой удачной конструкции ULN2003 широко используется в радиолюбительской практике. Соответственно достать ее не составит труда.
ULN2003.pdf (18905 Загрузок)

 

2 НАГРУЗКА ПЕРЕМЕННОГО ТОКА.
Если Вам нужно управлять устройствами переменного тока (чаще всего 220v), то тут все сложней, но не на много.

2.1 Подключение нагрузки при помощи реле.
Самым простым и, наверное, самым надежным есть подключение при помощи реле. Катушка реле, сама собой, является сильноточной нагрузкой, поэтому напрямую к микроконтроллеру ее не включишь. Реле можно подключить через транзистор полевой или биполярный или через туже ULN2003, если нужно несколько каналов.

Достоинства такого способа большой коммутируемый ток (зависит от выбранного реле), гальваническая развязка. Недостатки: ограниченная скорость/частота включения и механический износ деталей.
Что-то рекомендовать для применения не имеет смысла — реле много, выбирайте по нужным параметрам и цене.

2.2 Подключение нагрузки при помощи симистора (триака).
Если нужно управлять мощной нагрузкой переменного тока а особенно если нужно управлять мощностью выдаваемой на нагрузку (димеры), то Вам просто не обойтись без применения симистора (или триака). Симистор открывается коротким импульсом тока через управляющий электрод (причем как для отрицательной, так и для положительной полуволны  напряжения). Закрывается симистор сам, в момент отсутствия напряжения на нем (при переходе напряжения через ноль). Вот тут начинаются сложности. Микроконтроллер должен контролировать момент перехода через ноль напряжения и в точно определенный момент подавать импульс для открытия симистора — это постоянная занятость контроллера. Еще одна сложность это отсутствие гальванической развязки у симистора. Приходится ее делать на отдельных элементах усложняя схему.


Хотя современные симисторы управляются довольно малым током и их можно подключить напрямую (через ограничительный резистор) к микроконтроллеру, из соображений безопасности приходится их включать через оптические развязывающие приборы. Причем это касается не только цепей управления симистором, но и цепей контроля нуля.

Довольно неоднозначный способ подключения нагрузки. Так как с одной стороны требует активного участия микроконтроллера и относительно сложного схемотехнического решения. С другой стороны позволяет очень гибко манипулировать нагрузкой. Еще один недостаток применения симисторов — большое количество цифрового шума, создаваемого при их работе — нужны цепи подавления.

Симисторы довольно широко используются, а в некоторых областях просто незаменимы, поэтому достать их не составляет каких либо проблем. Очень часто в радиолюбительстве применяют симисторы  типа BT138.
BT138.pdf (6387 Загрузок)

2.3 Подключение нагрузки при помощи твердотельного реле.
С недавних пор у радиолюбителей появилась очень замечательная штука — твердотельные реле. Представляют они из себя оптические приборы (еще их называют оптореле), с одной стороны, в общем случае, стоит светодиод, а с другой полевой транзистор со светочувствительным затвором. Управляется эта штука малым током, а манипулировать может значительной нагрузкой.

Подключать твердотельное реле к микроконтроллеру очень просто — как светодиод — через резистор.
Достоинства налицо: малые размеры, отсутствие механического износа, возможность манипулировать большим током и напряжением и самое главное оптическая развязка от опасного напряжения. Нагрузка может быть как постоянного, так и переменного тока в зависимости от конструкции реле. Из недостатков следует отметить относительную медлительность (чаще всего для коммутации используется полевик) и довольно значительную стоимость реле.

Если не гнаться за завышенными характеристиками можно подобрать себе прибор по приемлемой цене. Например, реле CPC1030N управляется током от 2мА, при этом способно коммутировать нагрузку переменного и постоянного тока 120мА и 350v (очень полезная для радиолюбителей вещь!)
CPC1030N.pdf (14080 Загрузок)

 

(Visited 138 026 times, 12 visits today)

Author:

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *